臺積電大舉投資之際 三星據悉將砍掉代工部門(mén)一半支出！

　　來(lái)源：財聯(lián)社

　　財聯(lián)社1月24日訊（編輯 馬蘭）高端芯片代工廠(chǎng)的競爭正趨于白熱化，這促使代工廠(chǎng)增加資本支出，以滿(mǎn)足客戶(hù)對最新節點(diǎn)的生產(chǎn)需求。然而，在這一大勢之下，三星據稱(chēng)將削減其代工部門(mén)的支出。

　　據媒體引述消息人士的話(huà)稱(chēng)，三星代工部門(mén)將在新的一年中將資本支出削減一半以上，僅撥款5萬(wàn)億韓元（約35億美元），而去年這一數字為10萬(wàn)億韓元。過(guò)去近10年來(lái)，三星每年都在芯片代工和內存生產(chǎn)商投入數十億美元。

　　這一策略的變更可能反映出三星在客戶(hù)需求上面臨麻煩，以及公司希望提高效率的意愿。三星據悉在先進(jìn)制造工藝上一直延期且良品率頻頻低于預期，導致其很難吸引到大型客戶(hù)。

　　消息還稱(chēng)，三星位于韓國平澤工廠(chǎng)，負責生產(chǎn)4-7納米級芯片的生產(chǎn)線(xiàn)的利用率下降了30%以上。

　　與此同時(shí)，臺積電在上周表示，今年將大幅增加資本支出，為明年生產(chǎn)2納米級芯片做準備。英特爾也表示將積極參與2納米級芯片的競爭，預計將小幅增加其資本支出。攻守分化

　　三星可能將把2025年的重點(diǎn)放在韓國華城工廠(chǎng)的S3和平澤工廠(chǎng)的P2設施之上。S3中3納米芯片的產(chǎn)線(xiàn)可能部分升級為2納米，這幾乎不需要添置大量的全新生產(chǎn)設備就可以實(shí)現。

　　而到2025年，P2預計將安裝一條1.4納米芯片的測試線(xiàn)，月產(chǎn)能預估在2000-3000片晶圓。此外，三星還將對其他地區的工廠(chǎng)進(jìn)行小規模投資，如其位于美國的泰勒工廠(chǎng)，計劃是升級現有晶圓廠(chǎng)，而不是擴大產(chǎn)能。

　　這種保守策略與臺積電的瘋狂擴張形成鮮明對比。臺積電計劃在2025年投資380億-420億美元的資金，較2024年的297.6億美元顯著(zhù)增加。其中70%的投資將流入先進(jìn)工藝，10-20%則被分配給特殊技術(shù)，剩下的部分投向先進(jìn)封裝、測試、掩模制造和其他領(lǐng)域。

　　這也與臺積電在2025年下半年量產(chǎn)2納米芯片的規劃相符。臺積電聲稱(chēng)，計劃中的2納米試生產(chǎn)芯片數量高于此前3納米和4納米芯片的試生產(chǎn)數量，這代表著(zhù)該公司將需要更多的2納米產(chǎn)能。

　　英特爾則也計劃在今年晚些時(shí)候提高其18A制造工藝的芯片生產(chǎn)數量，同時(shí)為下一代節點(diǎn)進(jìn)行準備。業(yè)內預計，該公司今年的資本支出將從2024年的110億-130億提高至120億-140億美元。